1.25G SFPのトランシーバー モジュール、10KMのための光学トランシーバー モジュールの二重繊維1310nm

1.25G SFPのトランシーバー モジュール、10KMのための光学トランシーバー モジュールの二重繊維1310nm

 

製品の機能

●Supports 1.25Gb/sのビット・レート

●Duplex LCのコネクター

ホットプラグ対応●

●1550nm DFBの送信機、PINのフォトディテクター

80km SMFの関係のために●Applicable

●Digital診断モニタ インターフェイス

●Low EMIおよび優秀なESDの保護

SFP MSAおよびSFF-8472と●Compliant

●+3.3Vは電源を選抜します

●Operating場合温度:

コマーシャル:-20から75 °C

産業:- 40から85 °C

 

適用

●Gigabitのイーサネット1000BASE-ZX

●SONET/SDH

●Otherの光学輸送システム

 

製品の説明

トランシーバーZBC3220は高性能、SMFの1250Mbpsデータ レートおよび80kmの伝送距離を支える費用効果が大きいモジュールです。このトランシーバーは3つのセクションから成っています:TRANSインピーダンス前置増幅器（TIA）およびMCUの制御装置と統合されるDFBレーザーの送信機、PINフォトダイオード。すべてのモジュールはクラスIのレーザーの安全の条件を満たします。トランシーバーはSFPの複数の源の一致(MSA)およびSFF-8472と互換性があります。詳細については、SFP MSAを参照して下さい。

 

機能図

 

絶対最高評価

変数	記号	最少。	最高。	単位	ノート
供給電圧	Vcc	-0.5	4.0	V
保管温度	TS	-40	85	°C
相対湿度	RH	0	85	%

 

注:最高の絶対評価以上の圧力はトランシーバーへの永久的な損害を与えることができます。

 

概要のオペレーティング特性

変数	記号	最少。	Typ	最高。	単位	ノート
データ転送速度	DR		1.25		Gb/s
供給電圧	Vcc	3.13	3.3	3.47	V
供給の流れ	Icc5			220	mA
作動の場合の臨時雇用者。	Tc	0		70	°C
	チタニウム	-40		85

 

 

電気特徴（上（C） = -20から75 ℃、上（I） 85 ℃への=-40、VCC = 3.13への3.47 V）

変数	記号	最少。	Typ	最高。	単位	ノート
送信機
差動データ入力の振動	VIN、PP	300		1600	mVpp	1
Txのディスエイブルによって入れられる電圧の高さ	VIH	2		Vcc	V
Txのディスエイブルによって入れられる電圧低い	VIL	0		0.8
Txの欠陥によって出力される電圧の高さ	VOH	Vcc-0.5		Vcc+0.3	V	2
Txの欠陥によって出力される電圧低い	VOL.	0		0.5
入力差動インピーダンス	Zin		100		Ω
受信機
差動データ出力の振動	Vout、PP	500		1000	mVpp	3
出力差動インピーダンス	ZOUT	90		110	Ω
主張されるLOS	VLOS_F	VCC-0.5		Vcc+0.3	V	2
非主張されるLOS	VLOS_N	0		+0.8

 

注:

モジュールの中の100Ω差動終了とつながれる内部的に1.TD+/are AC。

2. Txは非難し、Rx LOSはホスト板の10kΩ抵抗器への4.7kと抜かれるべきである開いたコレクター出力です。2.0VとVcc+0.3V間の電圧を抜いて下さい。

3. つながれるRD+/-の出力はAC内部的にありユーザーSERDESの100Ω （差動）と終わるべきです。

 

 

光学特徴（上（C） = -20から75 ℃、上（I） 85 ℃への=-40、VCC = 3.13への3.47 V）

変数	記号	最少。	Typ	最高。	単位		ノート
送信機
作動の波長	λ	1530	1550	1570	nm
Ave.出力電力（可能にされる）	舗装して下さい	0		+5	dBm		1
絶滅の比率	ER	8.2			dB		1
RMSの分光幅	Δλ			1	nm
上昇/落下の時間（20%~80%）	Tr/Tf			0.28	ns		2
総ジッター	TJ			56.5	ps		2
出力光学目	迎合的なITU-T G.957
受信機
作動の波長	λ	1270		1610	nm
受信機の感受性（ER=4.5）	PSEN1			-25	dBm	3
Min. Overload	PMAX			-3	dBm	3
LOSは主張します	Pa	-35			dBm
LOSは非主張します	Pd			-27	dBm
LOSヒステリシス	Pd Pa	0.5		5	dB

 

注:

1）にPRBS 2^23–1 NRZのテスト パターンとの1250 Mb/sで測定されて注意して下さい。

2）に未ろ過、PRBS 2の^23-1テスト パターン@1250Mbpsと測定されて注意して下さい

3）にBER -10のためのPRBS 2^23–1 NRZのテスト パターンとの1250 Mb/sで測定されて < 1x10="">注意して下さい

 

 

 

Pin Defintionおよび機能

 

 

 

 

 

 

Pin	記号	名前/記述	ノート
1	VeeT	Txの地面
2	Txの欠陥	Txの欠陥の徴候、開いたコレクター出力、活動的な「H」	1
3	Txのディスエイブル	LVTTLの入力、内部懸垂、Txは「H」で不具になりました	2
4	MOD-DEF2	2ワイヤー シリアル・インタフェース データ入出力（SDA）	3
5	MOD-DEF1	2本のワイヤー シリアル・インタフェースのクロックの入力（SCL）	3
6	MOD-DEF0	モデル現在の徴候	3
7	選り抜き率	関係無し
8	LOS	信号、開いたコレクター出力、活動的な「H」のRxの損失	4
9	変えて下さい	Rxの地面
10	変えて下さい	Rxの地面
11	変えて下さい	Rxの地面
12	RD-	反対の受け取られたデータ	5
13	RD+	受け取られたデータ	5
14	変えて下さい	Rxの地面
15	VccR	Rxの電源
16	VccT	Txの電源
17	VeeT	Txの地面
18	TD+	データを送信して下さい	6
19	TD-	Inverseはデータを送信します	6
20	VeeT	Txの地面

 

注:

高い1.Whenはこの出力種類のレーザーの欠陥を示します。低速は正常運営を示します。そして–ホスト板の10KΩ抵抗器は4.7と抜かれるべきです。

2. TXのディスエイブルは送信機の光学出力を締めるのに使用されている入力です。それは4.7のモジュールの内で– 10KΩ抵抗器抜かれます。その状態は次のとおりです:

低い（0 – 0.8V）:送信機（>0.8、 < 2="">

高い（2.0V~Vcc+0.3V）:送信機の障害者は開きます:不具になる送信機

3. ModDef 0,1,2。これらはモジュール定義ピンです。それらは4.7K –ホスト板の10KΩ抵抗器と抜かれるべきです。プルアップの電圧は2.0V~Vcc+0.3Vの間にあります。

ModDef 0はモジュールによってモジュールがあることを示すために基づいていました

ModDef 1は連続IDのための二線式のシリアル・インタフェースの時計ラインです

ModDef 2は連続IDのための二線式のシリアル・インタフェースのデータ ラインです

高い4.Whenはこの出力信号(LOS)の損失を示します。低速は正常運営を示します。

5.RD+/-:これらは差動受信機の出力です。それらはユーザーSERDESの100Ω （差動）と終わるべきであるACによってつながれる100Ω差動ラインです。ACカップリングはモジュールの中で行われ、ホスト板でこうして要求されません。

6.TD+/-:これらは差動送信機の入力です。それらは、モジュールの中の100Ω差動終了の差動ラインACつながれます。ACカップリングはモジュールの中で行われ、ホスト板でこうして要求されません。

 

EEPROMセクション

 

光学トランシーバーはEEPROMを含んでいます。それはトランシーバーの機能、標準インターフェース、製造業者および他の情報を記述する洗練された同一証明情報へのアクセスを提供します。シリアル・インタフェースは部品のATMEL AT24C01A/02/04の系列のために定義される2ワイヤー連続CMOS EEPROM議定書を使用します。連続議定書が活動化させるとき、ホストは連続刻時信号（SCL、Mod Def 1）を発生させます。陽性の端はSFPのトランシーバーの内で書込み禁止ではないEEPROMのそれらの区分にデータの時間を記録します。否定的な端はSFPのトランシーバーからのデータの時間を記録します。シリアル データは信号を送ります（SDA、Mod Def 2）はシリアル データの移動のためです。ホストはSCLと共に連続議定書の活発化の開始そして終わりを示すのにSDAを使用します。記憶はそれぞれまたは次々に演説することができる一連の8ビット データ単語として組織されます。

トランシーバーは現在の作動条件についての診断情報を提供します。トランシーバーは内部アナログ信号のデジタル化によってこの診断データを発生させます。口径測定および警報/警告の境界データは装置製造の間に書かれています。受け取られた力の監視、送信された力の監視、バイアス現在の監視、供給電圧の監視および温度モニタリングはすべて実行されます。診断データは未加工A/Dの価値で、現実の世界の単位にワイヤー連続バス住所A2hのEEPROMの位置56 – 95で貯えられる口径測定の定数を使用して変えられなければなりません。デジタルの、診断メモリ マップの特定のデータ フィールドは定義しま続きますように:

 

2本のワイヤー住所LOLOOOOx （AOh） 2本のワイヤー住所LOLOOOLx （A2h）

 

デジタル診断指定

 

トランシーバーはどちらかを内部または外部で目盛りを付けたデジタル診断に要求する上位システムで使用することができます。

 

変数	記号	単位	最少。	最高。	正確さ	ノート
トランシーバーの温度	DTemp-E	ºC	-45	+90	±5ºC	2
トランシーバーの供給電圧	DVoltage	V	3.0	3.6	±3%
送信機のバイアス流れ	DBias	mA	2	80	±10%	3
出力電力送信機	DTx力	dBm	-20	-13	±3dB
受信機の平均入力パワー	DRx力	dBm	-31	0	±3dB

 

注:

1.Support内部/外部口径測定

temp.=0~70 ºCを作動させる2.Whenは範囲min=-5、Max=+75です。

3. Txのバイアス流れの正確さはレーザーの運転者からのレーザーへ実際の流れの10%です

 

 

典型的なインターフェイス回路

 

推薦された板レイアウトの孔パターン

 

パッケージ次元